高壓放大器基于干涉儀的設計與優(yōu)化中的應用
實驗名稱：高壓放大器基于掃描式固體腔F-P干涉儀的設計與優(yōu)化中的應用
實驗目的：優(yōu)化設計掃描式固體腔F-P干涉儀
實驗設備：光源，準直擴束系統(tǒng)，待測電光晶體（包含驅(qū)動），4f系統(tǒng)和CCD，信號源，ATA-2161高壓放大器，示波器。
實驗內(nèi)容：為實現(xiàn)全天時邊界層內(nèi)大氣溫度絕對探測，即精細獲取大氣Rayleigh散射譜形，借鑒F-P干涉濾波技術和晶體的電光特性，設計了一種掃描式固體腔F-P干涉儀，測試其濾波性能并進行優(yōu)化。
實驗過程：如圖是搭建的透射型馬赫曾德干涉儀光路，此光路用做全息圖的記錄，主要包括以下幾個部分:光源，準直擴束系統(tǒng)，待測電光晶體（包含驅(qū)動）、4f系統(tǒng)和CCD。
測量晶體內(nèi)部均勻性和折射率調(diào)制度關系的系統(tǒng)圖
電光晶體高壓驅(qū)動，函數(shù)發(fā)生器，使其產(chǎn)生一個脈沖方波信號，然后經(jīng)過ATA-2161高壓放大器使其放大，最終把放大后的信號加載到晶體上，完成晶體電光性能的測試。
電光晶體高壓模塊標定
實驗結(jié)果：
（1）不同電壓下CCD上記錄的全息圖
（2）不同電壓場下，對應晶體折射率的改變量
對圖相位圖中晶體相位的改變量進行平均處理，得到不同電壓場下，對應的晶體的相位改變量，再由公式計算得出，不同電壓場下，對應晶體折射率的改變量。
相位調(diào)制和折射率調(diào)制度實測值與理論值的對比
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